MDmesh™ M5 Series, 单 FET,MOSFET

Results:
4
Manufacturer
Series
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Power Dissipation (Max)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
Supplier Device Package
Package / Case
Operating Temperature
Mounting Type
Drain to Source Voltage (Vdss)
FET Feature
FET Type
Grade
Vgs(th) (Max) @ Id
Qualification
Technology
Vgs (Max)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Results remaining4
Applied Filters:
MDmesh™ M5
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ImageProduct DetailPriceAvailabilityECAD ModelMounting TypeOperating TemperatureFET TypePackage / CaseSupplier Device PackageGradeTechnologyFET FeatureVgs(th) (Max) @ IdSeriesDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)Rds On (Max) @ Id, VgsGate Charge (Qg) (Max) @ VgsVgs (Max)Input Capacitance (Ciss) (Max) @ VdsPower Dissipation (Max)Qualification
STB45N30M5
NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53
1+
$12.6761
5+
$11.9718
10+
$11.2676
Quantity
2,000 Available
Can ship immediately
Ships from: HK
PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
TO-263 (D2Pak)
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
MDmesh™ M5
300 V
53A (Tc)
10V
40mOhm @ 26.5A, 10V
95 nC @ 10 V
±25V
4240 pF @ 100 V
250W (Tc)
-
STFW20N65M5
MOSFET N-CH 650V 18A ISOWATT
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Quantity
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-3P-3 Full Pack
TO-3PF
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
MDmesh™ M5
650 V
18A (Tc)
10V
190mOhm @ 9A, 10V
36 nC @ 10 V
±25V
1434 pF @ 100 V
48W (Tc)
-
STW38N65M5-4
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
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Quantity
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-4
TO-247-4
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
MDmesh™ M5
650 V
30A (Tc)
10V
95mOhm @ 15A, 10V
71 nC @ 10 V
±25V
3000 pF @ 100 V
190W (Tc)
-
STW88N65M5-4
MOSFET N-CH 650V 84A TO247-4L
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Quantity
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PCB Symbol, Footprint & 3D Model
Through Hole
150°C (TJ)
N-Channel
TO-247-4
TO-247-4
-
MOSFET (Metal Oxide)
-
5V @ 250µA
MDmesh™ M5
650 V
84A (Tc)
10V
29mOhm @ 42A, 10V
204 nC @ 10 V
±25V
8825 pF @ 100 V
450W (Tc)
-

单 FET,MOSFET

离散场效应晶体管(FET)是一种非常多功能的电子元件,用于各种应用,包括功率转换、电机控制、固态照明等。FET的一个关键优势是能够在高频率下进行开关操作,同时传输大量电流。这使得它们非常适合需要对输出信号进行精确控制的电路。 FET特别适用于电压等级在几百伏或更低的应用中。在这个范围之上,其他器件类型如绝缘栅双极晶体管(IGBT)会更具竞争力。对于低电压应用,FET通常优于IGBT,因为它们具有更快的开关速度、更好的效率和更简单的驱动电路。 使用离散FET的一个主要优点是可以以多种方式配置,以适应特定的应用需求。例如,可以并联使用它们来增加电路的承载电流能力,或串联使用它们来增加电压等级。它们还可以与其他被动元件,如二极管和电容器结合使用,构成更复杂的电路。 除了多功能性和高效率外,FET还以其耐用性和可靠性而闻名。它们没有可动部件,因此不容易磨损。此外,它们可以在高温下工作而不降低性能,非常适合在恶劣环境中使用。 总之,离散场效应晶体管(FET)由于其高开关频率、高承载电流能力和优异的效率而被广泛应用于各种应用中。它们特别适用于低电压应用,优于其他器件类型如IGBT。凭借其多功能性、耐用性和可靠性,FET将继续在现代电子系统的发展中发挥重要作用。